Q3MEM-8MBS技术指标三菱Q3MEM-8MBS使用说明书

SRAM存储卡。
RAM容量：512KB。8通道。
铂热电阻（Pt100、JPt100）。
镍热电阻（Ni100）。
脱落检测功能。
转换速度：320ms/8通道Q3MEM-8MBS技术指标。
通道间隔离。
40针连接器。
适合用于过程控制的隔离模拟量模块。
可通过连接热电偶/热电阻来收集温度数据。
产品可选择多通道（ 8通道）输入型和通道隔离型Q3MEM-8MBS
客户可根据预期用途选择适合的型号。
缩短系统停机复原时间。
只需简单的操作，即可将CPU内的所有数据备份到存储卡中。
通过定期备份，可始终将新的参数、程序等保存到存储卡Q3MEM-8MBS技术指标。
在万一发生CPU故障时，在更换CPU后，可通过简单的操作，
通过事前备份了数据的存储卡进行系统复原。
因此，无需花费时间管理备份数据，也可缩短系统停机时的复原时间。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。输入：2通道。
10kpps。
计数器输入信号：DC5/12/24V。
外部输入：DC5器Q3MEM-8MBS技术指标。
支持高分辨率设备。满足高速控制应用的脉冲输入、高速计数器模块产品群。
对高速脉冲串进行计数的高速计数器模块。
可与外部编码器组合使用进行定位等控制。
可切换高计数速度，对从高速脉冲到上升沿/下降沿平缓的低频脉冲进行计数。
每个1通道配备2点的外部一致输出。
可根据用途选择“一致输出功能”、“连续比较功能”，实现外部设备的高速控制。（QD64D2）
提供多种功能，例如一致输出测试功能（使用连续比较功能时）、预设功能、锁存计数器功能，
以满足各种应用需求。（ QD64D2）
输入脉冲的高计数速度可达8Mpps （差分输入、2相4倍频时）。
可在半导体、液晶制造等对位置精度要求高的设备中，
使用高分辨率编码器执行的位置跟踪。（ QD65PD2）SRAM存储器卡，容量：2M字节。
尺寸：45*42.8*3.3mm
重量：15g。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡，
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此，可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器，
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各各种参考资料，
包括日常报告、生成报表及一般报告Q3MEM-8MBS使用说明书。
这些资料可应用于启启动时的数据分析、追溯等Q3MEM-8MBS使用说明书。
毫无遗漏地记录控制数据的变动
可在每次顺序扫描期间或者在毫秒时间间隔内收集数据，
毫无遗漏地记录的控制数据的变动。
因此，在发生故障时，可快速确定原因，进行的动作分析。