QD75P1N基础知识三菱QD75P1N用户手册

输入：4通道。
热电偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re) 。
无加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4 通道。
18点端子台QD75P1N基础知识。
尖峰电流功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本QD75P1N
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。
可灵活进行各种设置，实现佳温度控制的温度调节模块QD75P1N基础知识。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。分辨率262144PLS/res。
允许转速3600r/min。
轴的允许载荷：径向大为19.6N，轴向大为9.8N。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域QD75P1N基础知识。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量：128KB。
E2PROM容量：128KB。1轴，差分驱动器输出型。
控制单位：mm、英寸、度、脉冲。
定位数据数：600个数据/轴。
大脉冲输出：1Mpps。
40针连接器。
定位模块。
开路集电极输出型。
差分驱动器输出型。
也可满足高速、控制需求。
适合用于要求高速转换控制领域的模拟量模块。
可提供多种模数和数模转换模块产品。
这些模块功能多样，在连接设备时，实现了大的灵活性。
可满足变频器控制等高速转换需求。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用，实现恰如其分的控制。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各种模拟量模块，是应用于过程控控制应用的理想选择QD75P1N用户手册。
根据用途分为开路集电极输出型和差分驱动器输出型 2 种类类型QD75P1N用户手册。
差分驱动器输出型定位模块可将高速指令脉冲 ( 高 4Mpps) 可靠地传输至伺服放大器，
传输距离可达 10 米，实现高速的控制。
（开路集电极型定位模块的指令脉冲高为200kpps。）