Q06CCPU-V-B使用案例三菱Q06CCPU-V-B编程手册(编程指导书)

SRAM存储卡。
RAM容量：128KB。输入电压范围：AC100-240V。
输出电压：DC5V。
输出电源：2A。
薄型电源。
简化程序调试
可使用带执行条件的软元件测试功能，在程序上的任意步，
将软元件值更改为用户值Q06CCPU-V-B使用案例。
以往在调试特定回路程序段时，需要追加设定软元件的程序，
而目前通过使用本功能，无需更改程序，即可使特定的回路程序段单独执行动作Q06CCPU-V-B
因此，不需要单独为了调试而更改程序，调试操作更简单Q06CCPU-V-B使用案例。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失Q06CCPU-V-B使用案例。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。
通过软元件扩展，更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点，使程序更容易理解。GI-62.5/125光缆。
双环。
PLC到PLC网(控制站/普通站)/远程I/O网(远程主站)。RS-232 1chQ06CCPU-V-B(编程指导书)。
RS-422/485 1ch。
Basic语言编程模块。
将在运动CPU上使用的轴伺服放大器的到位信号作为触发器，
从可编程控制器CPU向第2轴伺服放大器执行轴启动，
到伺服放大器输出速度指令为止的时间。
这一时间为CPU间数据传输速度的指标。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能Q06CCPU-V-B(编程指导书)。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差Q06CCPU-V-B(编程指导书)。
SRAM存储器卡；容量：8M字节。
带保护罩的记忆卡。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡，
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此，可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器，
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行。
只需插入SD存储卡，即可自动记录。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡，即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时，
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后，
即可立即开始记录。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各各种参考资料，
包括日常报告、生成报表及一般报告Q06CCPU-V-B编程手册。
这些资料可应用于启启动时的数据分析、追溯等Q06CCPU-V-B使用案例。
毫无遗漏地记录控制数据的变动
可在每次顺序扫描期间或者在毫秒时间间隔内收集数据，
毫无遗漏地记录的控制数据的变动。
因此，在发生故障时，可快速确定原因，进行的动作分析。