QD75P2N参数设置三菱QD75P2N用户手册

SRAM存储卡。
RAM容量：256KB。三相4线式。
测量电路数：1个电路。
测量项目：耗电量（消耗、再生）、电流、电压、功率、功率因素等。
可简单地测量多种能量信息的电能测量模块产品群QD75P2N参数设置。
仅用一个模块，即可测量与电量（消耗及再生）、无功电量、电流、电压、功率、功率因数以及频率有关的各种详细信息。
无需梯形图程序即可持续监视小值和大值，亦可执行2种类型的上限/下限报警QD75P2N
只有在ON状态期间，才可测量输出设备所使用的电量。
因此可获得设备运行期间的电量以及节拍单位内的电量QD75P2N参数设置。
在一个插槽中使用3相3线式产品多可测量4个电路，
使用3相4线式产品多可测量3个电路，
因此通过多电路型产品可在较小空间中实施电能测量。
例如，可使用一个模块测量来自控制面板干线的其他负载。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），轻松地设置参数。输出点数：16点。
输出电压及电流：DC5~12V；16mA/点；256mA/公共端。
应答时间：0.5ms。
16点1个公共端。
漏型。
18点端于台。
带保险丝。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可性能，
防止任何可能出现的性能偏差QD75P2N参数设置。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外，在多CPU系统统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间QD75P2N用户手册。
可用编程工具对收集的数据进行分分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化QD75P2N用户手册。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。